【摘 要】
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采用磁控溅射工艺,在玻璃基片上制备了Zn1-xCoxO（x=0.02～0.15）稀磁半导体薄膜。采用X-射线衍射（XRD）、X射线光电子能谱（XPS）、原子力显微镜（AFM）、振动样品磁强计（VSM）研究了薄膜的相结
【基金项目】
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上海市教委科研创新资助项目（09YZ367）,上海市重点学科建设资助项目（J51402）
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采用磁控溅射工艺,在玻璃基片上制备了Zn1-xCoxO（x=0.02～0.15）稀磁半导体薄膜。采用X-射线衍射（XRD）、X射线光电子能谱（XPS）、原子力显微镜（AFM）、振动样品磁强计（VSM）研究了薄膜的相结构、化学成分及价态、表面形貌和磁性能。结果表明,本实验条件下,薄膜不存在Co及Co的氧化物相,薄膜中Zn的化学价为＋2,Co则以＋2和＋4价的形式存在;薄膜晶体结构为c轴取向生长的六方纤锌矿结构;薄膜表面平整致密。在温度为300 K时,Zn0.9Co0.1O薄膜呈铁磁效应,在M-H曲线中观测到
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