【摘 要】
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以KF为助熔剂,初始原料按照Na F：KF：YF3：Nd F3=30：18：47：5的摩尔比例,采用助熔剂-坩埚下降法成功生长出了优质块体Nd^3＋掺杂α-Na YF4单晶体。XRD图谱表明,引入少量钕离子没有改变单
【机 构】
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宁波大学光电子功能材料重点实验室,中国科学院宁波材料技术与工程研究所,大连海事大学物理系
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以KF为助熔剂,初始原料按照Na F：KF：YF3：Nd F3=30：18：47：5的摩尔比例,采用助熔剂-坩埚下降法成功生长出了优质块体Nd^3＋掺杂α-Na YF4单晶体。XRD图谱表明,引入少量钕离子没有改变单晶体的立方相结构。测定了钕离子在晶体中的实际掺杂浓度为3.15mol%,相比初始掺杂浓度偏小,说明在单晶体中稀土离子存在着分凝现象。根据吸收图谱,在800 nm处具有最强吸收峰,最大吸收系数α和吸收跃迁截面σabs分别为0.91 cm-1和0.138×10-20cm2。在800 nm
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