【摘 要】
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本文研究了InP/GaP晶格失配界面的电特性。HRTEM图象表明在界面存在90°位错缺陷的应变缓释。ECV表明界面存在高密度载流子层。AFM图象表明本研究中获得了粗糙度为2.48nm的良
【机 构】
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江南大学理学院,Department of Electrical Engineering Yale University,New Haven,CT06520,USA,Department of Ele
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本文研究了InP/GaP晶格失配界面的电特性。HRTEM图象表明在界面存在90°位错缺陷的应变缓释。ECV表明界面存在高密度载流子层。AFM图象表明本研究中获得了粗糙度为2.48nm的良好InP异质外延层。并对于InP界面给出了一个基于费米能级钉扎的模型来解释观察到的电性质。
In this paper, the electrical properties of InP / GaP lattice mismatch interface are studied. HRTEM images show strain-controlled release of 90 ° dislocations at the interface. ECV shows that there is a high density of carrier layers at the interface. AFM images showed that a good InP heteroepitaxial layer with a roughness of 2.48 nm was obtained in this study. A model based on Fermi level pinning for the InP interface is given to explain the observed electrical properties.
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