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CMOS的未来已经在产业界和学术界引起了极大的关注。CMOS有望在未来15年内继续生存下去。大多数人会认为这是由于制造工艺实现了等比例缩小的缘故。但是问题的范围要远远超出等比例缩小。研究结果表明，在室温下，CMOS等比例缩小超越ITRS(国际半导体技术发展路线图)后所遇到的理论上的最终极限，将是1．5nm的特征尺寸、0．017eV的开关能量以及0．04ps的开关速度。