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电过应力是造成ＭＯＳ集成电路损伤的主要原因，本文结合静电放电的三种模型，详细分析了ＭＯＳ集成电路电过应力的损伤模式和机理。
MOS集成电路电过应力损伤模式和机理分析
【摘 要】
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电过应力是造成ＭＯＳ集成电路损伤的主要原因，本文结合静电放电的三种模型，详细分析了ＭＯＳ集成电路电过应力的损伤模式和机理。
【机 构】
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中国华晶电子集团公司
【出 处】
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半导体技术
【发表日期】
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1994年2期
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