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采用自主研制的45°单弯曲磁过滤阴极电弧沉积系统于Si基体表面制备了四面体非晶碳（ta-C）膜，研究了基体负偏压对薄膜沉积速率、成分、力学性能及摩擦学性能的影响规律。结果表明，随基体负偏压升高，ta—C膜sp3键含量呈先增后减的变化趋势，在-50V时达到最大值（约64％）；其硬度和弹性模量呈相似的变化规律，在-50V偏压下获得最大值（48．22GPa和388．52GPa）。ta-C薄膜的摩擦学性能与其sp3碳杂化键的含量密切相关，在-50V偏压下制备的薄膜具有最小平均摩擦因数值（0．10）。可见