【摘 要】
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手机中的应用处理器和数字家电产品中使用的LSI大部分带有1MB以上的SRAM。为使其在与逻辑电路相同的频率下工作,必然需要降低阈值电压。由于非永久性的SRAM一般在待机时也不
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手机中的应用处理器和数字家电产品中使用的LSI大部分带有1MB以上的SRAM。为使其在与逻辑电路相同的频率下工作,必然需要降低阈值电压。由于非永久性的SRAM一般在待机时也不能关断电源,所以待机时的亚阈值漏电流就成为需解决的问题。日立制作所和瑞萨电子等公司为将存储器与应
Most of the LSIs used in mobile handsets and digital home appliances have more than 1 MB of SRAM. To make it operate at the same frequency as the logic, it is inevitable to lower the threshold voltage. Since non-permanent SRAMs generally can not turn off the power during standby, the subthreshold leakage current during standby becomes a problem to be solved. Hitachi and Renesas Electronics and other companies for the memory and should
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