【摘 要】
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占空比是微弧氧化过程中的重要参数,目前研究多针对恒定单一占空比模式。为此,在优化的复合电解液体系中对ZK60镁合金进行微弧氧化处理,研究微弧氧化过程中阶段调节不同占空
【机 构】
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江苏科技大学江苏省先进焊接技术重点实验室,镇江耐丝新型材料有限公司,
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占空比是微弧氧化过程中的重要参数,目前研究多针对恒定单一占空比模式。为此,在优化的复合电解液体系中对ZK60镁合金进行微弧氧化处理,研究微弧氧化过程中阶段调节不同占空比对微弧氧化膜层性能的影响。通过电压-时间曲线分析微弧氧化膜层生长特性,并利用扫描电镜(SEM)、激光共聚焦显微镜、全浸试验等手段对膜层微观结构及性能进行表征。结果表明:阶段调节占空比模式下,微弧氧化初期应采用较大占空比有利于钝化膜击穿,微弧氧化中期适当降低占空比有利于膜层平稳生长,膜层生长后期采用较小占空比可以较好地修复膜层;当阶段占空比参数设置为60%-50%-40%时,膜层微观结构均匀致密,在3.5%溶液中室温浸泡120 h后的腐蚀速率为0.100 7 g/(m~2·h),表现出良好的耐蚀性;膜层与基体结合牢固,其最高临界载荷为8.95 N。
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