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由于介质保护膜的特性极大地影响交流等离子体显示器（AC-PDP）的寿命、功耗和显示质量，所以研究介质保护膜的制备工艺是十分重要的。本文利用电子束加热蒸镀法，在不同沉积角度下制备了MgO介质保护膜和宏单元气体放电屏。利用X射线衍射仪（XRD）和扫描电子显微镜（SEM）对制备的介质保护膜样品的微观结构和表面特征进行了表征，并且，利用宏单元气体放电实验屏研究了介质保护膜的气体放电特性。结果表明：在沉积角度为15°下制备的MgO介质保护膜，薄膜的着火电压最低，晶粒最大，并且结晶取向最强。