阿霉素在钴离子注入修饰电极上的电化学行为

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阿霉素(ADM)在0.005 mol·L-1 Tris / 0.05 mol·L-1 NaCl溶液中, 在Co/GCE上有一灵敏的还原峰, 峰电位为- 0.62 V(对SCE). 峰电流与ADM的浓度有关. 用线性扫描和循环伏安等手段研究体系的电化学行为, 实验表明, 电极过程是受吸附控制的准可逆过程, 注入的钴催化了ADM的还原. 根据Laviron吸附理论, 求得电极反应速率常数k0 = 2.15 s-1, 电荷转移系数a = 0.62. 用X射线光电子能谱(XPS)和俄歇电子能谱
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