【摘 要】
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研究对比了InGaN/GaN多量子阱发光二极管中p电极下的不同SiO2电流阻挡层的光电特性.6种样品被分为3组:普通表面、表面粗化、表面粗化+边墙腐蚀.每组都有两种结构,一种具有电
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研究对比了InGaN/GaN多量子阱发光二极管中p电极下的不同SiO2电流阻挡层的光电特性.6种样品被分为3组:普通表面、表面粗化、表面粗化+边墙腐蚀.每组都有两种结构,一种具有电流阻挡层,另一种没有电流阻挡层.每组中,具有电流阻挡层的LED在20 mA下的正向电压分别为3.156,3.282,3.284 V,略高于不含电流阻挡层的样品(Vf=3.105,3.205,3.210 V).但是,具有电流阻挡层的LED的光效和光功率要优于无电流阻挡层的器件,在20 mA下的光功率分别提高了10.20％、12.19％和11.49％.这些性能的提升都要归功于电流阻挡层良好的电流扩展效应,同时电流阻挡层还可以减小p电极下的寄生光吸收.
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