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综述了CMP后的晶圆测量方法，比较指出：光学干涉法适宜于测量较厚的薄膜，而椭圆偏振法精度较高，但成本高昂，适宜于测量薄的薄膜。CMP后需要检测晶圆的表面状况，列举了常用的扫描电子显微镜、原子力显微镜和光散射探测仪。扫描电子显微镜常用于特征线宽的测量，其精度可达4nm；原子力显微镜是根据范德华力的原理制造，其探测精度高达0．1nm：但二者最大的缺陷就是操作复杂，成像十分费时。散射探测仪根据光的散射理论制造。可以快捷地全表面成二维图像，是值得推荐的一种测量手段。最后，指出今后的测量技术对半导体工艺的影响。