实时控制过饱和度降温法生长KDP晶体

来源 :无机材料学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:zq20081979
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用变压器型电导仪实现了KDP晶体生长过程中溶液的浓度和过饱和度的实时测量与控制,测量精度±0.03g KDP/100g H2O(±0.10%相对过饱和度),控制精度与测量精度相当.过饱和度实时控制系统提供了一种方法,可以研究在不同工艺条件生长KDP晶体时,过饱和度与晶体生长和性能的关系.用分析纯原料生长KDP晶体,发现随着过饱和度的增大,晶体的生长速度加快,晶体的均匀性降低.过饱和度实时控制系统可以使KDP晶体在相对恒定的过饱和度下生长,提高了晶体生长的均匀性,抑制了生长层和散射颗粒的产生,有利于提高晶体的光学透过率和光伤阈值. Real-time measurement and control of solution concentration and supersaturation in KDP crystal growth were realized by transformer conductivity meter. The measurement accuracy was ± 0.03g KDP / 100g H2O (± 0.10% relative supersaturation), control accuracy and The measurement accuracy is quite The supersaturation real-time control system provides a way to study the relationship between supersaturation and crystal growth and performance when growing KDP crystals under different process conditions. Growth of KDP crystals with analytically pure raw materials showed that as the degree of supersaturation increased, the crystal growth accelerated and the crystal homogeneity decreased. The supersaturation real-time control system can make KDP crystal grow under a relatively constant supersaturation, improve the uniformity of crystal growth, restrain growth layer and scattering particles, improve the optical transmittance and damage threshold .
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