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室温下,采用直流反应磁控溅射法制备透明导电氧化亚铜（Cu2O）薄膜。利用X射线衍射仪（XRD）、原子力显微镜（AFM）、四探针测试仪及拉曼光谱仪分别研究不同沉积时间下制备的Cu2O薄膜的晶体结构、表面形貌、电阻率及表面增强拉曼散射特性。实验结果表明,沉积时间为3和6min时,获得单一相的透明导电Cu2O薄膜;随着沉积时间的增加,薄膜由非晶态转变为（111）方向择优生长,薄膜致密且颗粒呈球状,其粗糙度的均方根（RMS）值增大,薄膜电阻率呈下降趋势;以罗丹明B（RhB）为探针分子,表征样品表面增强拉曼活性,通过对比不同样品表面RhB的拉曼光谱,其散射强度随薄膜表面粗糙度的增大而增强。