【摘 要】
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以GaN微米柱为平台,计算了激子极化激元的Gross-Pitaevskii方程(GP方程)。通过计算,初步分析了激子极化激元凝聚态维持稳定的时间,同时与GaAs材料制备的微腔进行了对比,讨论
【基金项目】
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国家自然科学基金面上项目(11772001)资助
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以GaN微米柱为平台,计算了激子极化激元的Gross-Pitaevskii方程(GP方程)。通过计算,初步分析了激子极化激元凝聚态维持稳定的时间,同时与GaAs材料制备的微腔进行了对比,讨论了失谐、耗散速率以及拉比分裂等参数对激子极化激元凝聚态稳定性的影响,发现了随着失谐参数的增大,激子极化激元凝聚态保持稳定的时间逐步延长。当失谐Δ=±75时,稳定时间达到30ps以上,且不再大幅变化。由于选用的是宽禁带半导体材料GaN制备的微米柱,因此拉比分裂值相比GaAs等材料来说非常大,对于常温下形成激子极化激元凝聚态提供了充足的条件。
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