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通过转移矩阵法和有效折射率法计算了9．0μm GaAs基量子级联激光器波导的模式损耗和限制因子，从而对其波导结构进行优化．计算中考虑了各外延层的厚度、脊宽和腔长的影响．给出了在较低阈值下节约材料生长时间的各外延层厚度．
9．0μm GaAs基量子级联激光器的波导优化
【摘 要】
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通过转移矩阵法和有效折射率法计算了9．0μm GaAs基量子级联激光器波导的模式损耗和限制因子，从而对其波导结构进行优化．计算中考虑了各外延层的厚度、脊宽和腔长的影响．给出了在
【机 构】
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中国科学院半导体研究所材料科学重点实验室
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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2007年1期
【基金项目】
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国家杰出青年科学基金（批准号：60525406）,国家自然科学基金（批准号：90101002,60136010）,国家重点基础研究发展规划（批准号：G20000683-2）以及国际高技术研究发展计划（批准号：2001AA311140和2005AA31G040）资助项目
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