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兆位规模DRAM需要无数的新技术，包括从3D结构到形成的SIGe源和漏等各种技术。查阅了在1997年年底国际电子器件会议上发表的最新论文，发现许多创造性的方法需要用0．15pm几何图形制作器件。日本的半导体制造厂商的研究和开发主要集中在先进的DRAM嵌入式DRAM和非易消性存储器（包括闪烁（又称快速）存储器和铁电存储器芯片）。由于对单电子和量子器件的极大兴趣．国际电子器件会议首次安排了这方面的一个会议。日本的Flljitsu公司、Hitachi公司、Sharp公司以及其他公司，对DRAM器件的技术发表了评