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本文研究了ＩｎＧａＰ／ＧａＡｓ异质结构的气态源分子束外延生长，所得样品晶格失配率Δα／α〈８．９５×１０＾－５，本底载流子浓度为１０＾１５ｃｍ＾－３数量级，掺硅ｎ型样品的载流子浓度控制范围可达２×１０＾１５－４×１０＾１８ｃｍ＾－３。研究了Ｐ２和Ａｓ２气氛的切换条件对ＩｎＧａＰ／ＧａＡｓ异质结构界面特性的影响，并成功地生长了ＩｎＧａＰ／ＧａＡｓ异质结双极晶体管结构材料，用此材料在国内首次制成的ＨＢ