【摘 要】
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With the demand of flat panel display development,utilizing the non-volatile memory devices based on indium-gallium-zinc-oxide (IGZO) film may be integrated wit
【机 构】
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Faculty of Physics and Electronic Science,Hubei University,Hubei Key Laboratory of Ferro-& Piezoelec
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With the demand of flat panel display development,utilizing the non-volatile memory devices based on indium-gallium-zinc-oxide (IGZO) film may be integrated with IGZO thin film transistors (TFTs) to accomplish system-on-panel applications.In this work,1 x 1 μm2 via hole structure IGZO based memory device was fabricated and the resistive switching (RS) behavior was investigated.By inserting a nitro-gen doping layer IGZO:N by plasma treatment in Pt/IGZO/TiN device,highly improved RS performance including lower forming voltage,remarkable uniformity,large memory window of 102,retention prop-erty of 104 s at 125 ℃,excellent pulse endurance of 107 cycles were achieved.The X-ray photoelectron spectroscopy analysis indicates that plasma doping method can evenly dope nitrogen and induce more non-lattice oxygen in the IGZO film.It is deduced that the N atoms of the inserting layer can influence the random formation of oxygen vacancy type conducting filaments,which results in more stable and uniform performance.
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