应变Si沟道CMOS中的离子注入工艺

来源 :电子工艺技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户：jimmy7872

【摘要】

：

为避免应变Si沟道(Strained Si channel)CMOS工艺中的高温过程,通过选择合适的离子注入能量和剂量,采用快速热退火(RTP)工艺,制备出适合做应变Si沟道CMOS的双阱及源漏.霍尔测

【作者】

：

谭静李竞春杨谟华徐婉静张静

【机构】

：

电子科技大学,模拟集成电路国家重点实验室

【出处】

：

电子工艺技术

【发表日期】

：

2005年6期

【关键词】

：

STRAINED SI CMOS 离子注入双阱源漏 Strained Si channel CMOS Implantation Double - wel

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为避免应变Si沟道(Strained Si channel)CMOS工艺中的高温过程,通过选择合适的离子注入能量和剂量,采用快速热退火(RTP)工艺,制备出适合做应变Si沟道CMOS的双阱及源漏.霍尔测试得表面电子迁移率为1117cm2/V·s,载流子激活率为98%;原子力显微镜测试表明应变Si表面RMS为110 nm;XRD测试虚拟衬底SiGe弛豫度达96.41%;源漏结击穿电压为43.64V.

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