气相外延法生长碲镉汞薄膜的形貌特性研究

来源 :云南民族大学学报(自然科学版) | 被引量 : 0次 | 上传用户：floraccc

【摘要】

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MOVPE(Metal-organic vapour phase epitaxy)是目前流行的一种生长衬底上生长半导体薄膜材料的方法.讨论在碲锌镉(CdZnTe)和GaAs衬底上生长HgCdTe薄膜,通过实验得出,碲锌镉衬

【作者】

：

杨志远杨玉林

【机构】

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云南民族大学,云南大学

【出处】

：

云南民族大学学报(自然科学版)

【发表日期】

：

2005年2期

【关键词】

：

碲镉汞气相外延碲锌镉 HgCdTe MOVPE CdZnTe

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MOVPE(Metal-organic vapour phase epitaxy)是目前流行的一种生长衬底上生长半导体薄膜材料的方法.讨论在碲锌镉(CdZnTe)和GaAs衬底上生长HgCdTe薄膜,通过实验得出,碲锌镉衬底和GaAs衬底的晶片方向、结晶完整性、缺陷浓度及生长前衬底的处理工艺都会严重影响到碲镉汞薄膜表面特性.

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