【摘 要】
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对1060nm高功率垂直腔面发射激光器的有源区进行了理论计算和设计.对比了GaAsP、GaAs和AlGaAs三种不同材料的垒层所组成的高应变InGaAs量子阱的性能.为了确定有源区阱层和垒
【机 构】
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发光学及应用国家重点实验室中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,中国科学院研究生院,吉林农业大学信息技术学院
【基金项目】
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国家自然科学基金重点项目;国家自然科学基金
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对1060nm高功率垂直腔面发射激光器的有源区进行了理论计算和设计.对比了GaAsP、GaAs和AlGaAs三种不同材料的垒层所组成的高应变InGaAs量子阱的性能.为了确定有源区阱层和垒层的参数,考虑了自热效应对功率的影响,使得模型更加精确可靠.发现所设计的In0.28Ga0.72As量子阱的阱宽和阱数的最佳值分别为9nm和3个,输出功率可以达到瓦级.另外,对比了三种不同垒层的温度特性,结果显示,使用GaAsP垒层的器件在高温下具有更高的功率和更好的温度稳定性.最后,利用MOCVD生长了InGaAs/GaAsP量子阱并测试了其PL谱,实验数据与理论结果符合得很好.
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