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选择In2O3与SnO2质量比1:1的靶材为溅射源,采用磁控溅射法沉积了ITO薄膜,讨论了溅射氩气压强、氧流量、基体温度对薄膜透射率和方阻的影响,深入分析了其机理。研究结果表明:溅射时采用低Ar压强更有利于降低ITO薄膜的电阻率,并确定最佳氩气压强为0.2Pa,厚度为120nm的ITO薄膜在可见光区的透过率可达到90%;氧流量能明显改变薄膜的性能,随着氧流量从0增加10L/min(标准状态下,下同),载流子浓度(N)则由3.2×10^20降低到1.2×10^19/cm^3,N值的变化与