【摘 要】
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利用模拟软件研究施主表面态特性与AlGaN/GaN异质结构中二维电子气（2 dimensional electron gas，2DEG）形成之间的关系，分析施主表面态电离过程以及表面态能级位置、表面态密度的
【机 构】
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中山大学物理科学与工程技术学院光电材料与技术国家重点实验室
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利用模拟软件研究施主表面态特性与AlGaN/GaN异质结构中二维电子气（2 dimensional electron gas，2DEG）形成之间的关系，分析施主表面态电离过程以及表面态能级位置、表面态密度的影响。结果表明：施主表面态为2DEG的电子来源；Al-GaN能带分布及2DEG密度随AlGaN厚度、施主表面态能级位置、施主表面态密度的改变而改变。
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