【摘 要】
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目的通过疏水性质的研究,证明源电极式和浸入式PECVD方法制备含氢DLC膜存在结构和性质上的差别,并且证明浸入式PECVD方法制备的含氢DLC膜更适于需要强疏水性的表面改性应用。
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目的通过疏水性质的研究,证明源电极式和浸入式PECVD方法制备含氢DLC膜存在结构和性质上的差别,并且证明浸入式PECVD方法制备的含氢DLC膜更适于需要强疏水性的表面改性应用。方法在PECVD腔体中通入甲烷和氢气混合气体,同时在面对源电极的绝缘样品架上放置石英基片并沉积类聚合物DLC膜;在源电极上放置石英基片并沉积常规含氢DLC膜。在PECVD腔体中通入乙炔、氢气和四氟化碳混合气体,在面对源电极的绝缘样品架上放置石英基片并沉积掺氟DLC膜。改变气体压强和射频功率,生长一系列含氢DLC膜。利用紫外可见近红
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