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飞兆半导体公刊推出一款25V、3．3mm×3．3mm低侧高双功率芯片非对称N沟道模块FDPC8011S，帮助设计人员应对这一系统挑战。专为更高的开关频率的应用而开发，在一个采用全Clip封姨内集成1．4mΩSyncFETTM技术和一个5．4mΩ控制MOSFET、低质最因子的N沟道MOSFET，
FDPC8011S：N沟道模块
【摘 要】
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飞兆半导体公刊推出一款25V、3．3mm×3．3mm低侧高双功率芯片非对称N沟道模块FDPC8011S，帮助设计人员应对这一系统挑战。专为更高的开关频率的应用而开发，在一个采用全Clip封
【出 处】
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世界电子元器件
【发表日期】
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2012年7期
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