【摘 要】
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实现了一种单片集成的长波长可调谐光探测器．通过外延实验，摸索出低温缓冲层的最佳生长条件，成功地在GaAs衬底上生长出晶格失配度约4％的高质量的InP基材料．基于此低温缓冲层，在GaAs
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实现了一种单片集成的长波长可调谐光探测器．通过外延实验，摸索出低温缓冲层的最佳生长条件，成功地在GaAs衬底上生长出晶格失配度约4％的高质量的InP基材料．基于此低温缓冲层，在GaAs衬底上首先生长GaAs／AIAs材料的F-P腔滤波器，然后异质外延InP．In0.53Ga0.47As-InP材料的PIN结构．制作出的器件通过热调谐，峰值波长从1533．1nm红移到1543．1nm，实现了10．0nm的调谐范围，同时响应线宽维持在0．8nm以下，量子效率保持在23％以上，响应速率达到6．2GHz．
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