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通过PECVD法于不同温度直接沉积非晶硅（a-Si：H）薄膜，选择于850℃分别退火2h、3h、6h、8h，于700℃分别退火5h、7h、10h、13h，于900℃分别退火1h、3h、8h，分别于720℃、790℃、840℃、900℃、940℃退火1h，然后用拉曼光谱和SEM进行对比分析，发现退火温度与退火时间的影响是相互关联的，并且出现一系列晶化效果好的极值点。