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本文报道了用光照非稳态法对反应磁控溅射制备的AlN_xO_y-Al太阳能高温选择性吸收膜半球向全发射率ε的研究结果,给出了从60℃至310℃区间的半球向全发射率数据。
AlNxOyAl高温选择性吸收膜热发射率的研究
【摘 要】
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本文报道了用光照非稳态法对反应磁控溅射制备的AlN_xO_y-Al太阳能高温选择性吸收膜半球向全发射率ε的研究结果,给出了从60℃至310℃区间的半球向全发射率数据。
【机 构】
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北京市太阳能研究所,天津大学
【出 处】
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太阳能学报
【发表日期】
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1991年4期
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