【摘 要】
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南京电子器件研究所在７６ｍｍ圆片上研制成功超宽带单片功率放大器，芯片尺寸为３．２ｍｍ×１．６ｍｍ×０．１ｍｍ，采用栅长０．５μｍ的ＰＨＥＭＴ为有源器件，在１～２０ＧＨｚ频带范围内测得放大器的线性增益为８±０．５ｄＢ，带内输出功率大于１００ｍＷ，最大输出
Nanjin
【机 构】
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南京电子器件研究所!210016,南京电子器件研究所!210016,南京电子器件研究所!210016
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南京电子器件研究所在７６ｍｍ圆片上研制成功超宽带单片功率放大器，芯片尺寸为３．２ｍｍ×１．６ｍｍ×０．１ｍｍ，采用栅长０．５μｍ的ＰＨＥＭＴ为有源器件，在１～２０ＧＨｚ频带范围内测得放大器的线性增益为８±０．５ｄＢ，带内输出功率大于１００ｍＷ，最大输出
Nanjing Institute of Electronic Devices developed on 76mm wafer ultra-wideband monolithic power amplifier, the chip size of 3.2mm × 1.6mm × 0.1mm, the use of PHEMT gate length of 0.5μm for active devices, in 1 ~ The linear gain of the amplifier measured in the 20GHz band is 8 ± 0.5dB, the in-band output power is greater than 100mW, and the maximum output
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