用磁控溅射法制备了K9基片/非晶态InSb/ZnS-SiO2样品。利用椭圆偏振光谱仪对非晶态InSb薄膜的光学常数进行了测量，利用傅里叶变换红外光谱仪得到光学带隙为0.26 eV。采用改进的Z-扫描装置对405 nm波长的非线性吸收和非线性折射进行了测量。结果表明非晶态InSb薄膜表现出饱和吸收和自聚焦特性，有效非线性吸收系数为-3.73×10-2 m/W，非线性折射率为6.64×10-9 m2/W。根据非线性吸收系数，计算了非线性吸收截面的面积，与相关文献的报道非常接近。基于对非晶态InSb薄膜在405 nm波长的变温椭偏测试，讨论了热效应对非线性的贡献。分析表明非线性饱和吸收特性主要来源于纳秒脉冲激光作用下的热效应，而非线性折射特性是电子受激跃迁过程导致的。对饱和吸收特性诱导的超分辨效应进行了模拟，结果表明InSb薄膜的非线性吸收特性可以有效减小透射光斑的大小。