【摘 要】
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Al/TiN(111)界面沿(011)晶面的差分电荷密度图图(a)为TiN表面为Ti原子的界面结合情况;图(b)为TiN表面为N原子的界面结合情况。图中的实线区域表示电荷积累,虚线区域表示电荷
【机 构】
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沈阳材料科学国家(联合)实验室固体原子像研究部
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Al/TiN(111)界面沿(011)晶面的差分电荷密度图图(a)为TiN表面为Ti原子的界面结合情况;图(b)为TiN表面为N原子的界面结合情况。图中的实线区域表示电荷积累,虚线区域表示电荷欠缺。金属材料具有良好的可塑性、易于加工成型,在工业生产和日常生活中应用非常广泛。然而,在很多金属
Difference charge density along the (011) plane of the Al / TiN (111) interface (a) is the interfacial bonding of the Ti atoms on the TiN surface; and (b) is the interfacial bonding of the Ti atoms on the TiN surface. The solid line in the figure shows the charge accumulation, and the dotted line shows the charge deficiency. Metal materials with good plasticity, easy processing, forming, in industrial production and daily life is widely used. However, in many metals
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