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随着以NF3为基础的工艺发展在新一代CVD膛腔清洗设备中的应用，这使得半导体工业中所释放的PFC量大大降低。而对于已有的老设备而言，为了降低成本，减少释放量，所能选择的方法就是使用经优化后的现有C2F6清洗配方、以及经评价选用新的产品。本篇论文将C4F8(DuPont^TM Zyron8020)、C3F8及优化后的C2F6清洗工艺作比较研究。论文中的数据及第一手材料都显示：CxFy膛腔清洗气体家族中，C4F8的气体使用量最少、PFC释放量最低。