【摘 要】
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为了研究离子迁移率对直流线路合成电场与离子流密度分布的影响,计算了一定温度和湿度下,气压改变导致离子迁移率和导线起晕场强变化后,合成电场与离子流密度的分布变化。合成电场的控制方程为Poisson方程和电流连续性方程。使用的电极结构为一维圆柱电晕笼和二维±1100 kV双极输电线路结构。计算结果表明,在相同导线电压下,若离子迁移率增加约一半,同时起晕场强降低33%,电晕笼处的合成电场增强约80%,离子流密度增加约6倍。若离子迁移率平均增加16%,起晕场强降低16%,±1100 kV线路地面合成电场增强约一半
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为了研究离子迁移率对直流线路合成电场与离子流密度分布的影响,计算了一定温度和湿度下,气压改变导致离子迁移率和导线起晕场强变化后,合成电场与离子流密度的分布变化。合成电场的控制方程为Poisson方程和电流连续性方程。使用的电极结构为一维圆柱电晕笼和二维±1100 kV双极输电线路结构。计算结果表明,在相同导线电压下,若离子迁移率增加约一半,同时起晕场强降低33%,电晕笼处的合成电场增强约80%,离子流密度增加约6倍。若离子迁移率平均增加16%,起晕场强降低16%,±1100 kV线路地面合成电场增强约一半
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