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目的分析植入型心律转复除颤器（ICD）及心脏再同步治疗除颤器（CRT-D）一级预防患者的室性心律失常发生情况。方法统计分析2007年1月至2012年6月在浙江医院因一级预防而植入ICD或CRT—D的所有患者。结果140例患者中，植入ICD的患者51例，CRT-D患者鼹，例，平均随访（26．8±12．6）个月。结果显示在ICD一级预防中启动ICD正确治疗的室性心律失常发生率为19．3％，误治疗率为12．9％，其中误治疗中85．3％发生在单腔ICD一级预防中。ICD一级预防中主要死亡原因为心力衰竭（52．2％），非心脏原因死亡（39．1％）。ICD正确治疗组与未治疗组相比，宽QRS时限、低左心室射血分数（LVEF）及高B型脑钠肽（NT-proBNP）容易导致室性心律失常发生。结论在ICD或CRT—D一级预防患者中，宽QRS时限、低LVEF及高NT—proBNP容易导致室性心律失常发生；ICD误治疗主要发生在单腔ICD患者。