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研究了半导体腐蚀过程中液层的红外热像分布特性。经处理分析，实现了对任意时刻表面液层的热对流信息的红外表征。半导体腐蚀过程中产生的化学反应会有热量的释放或吸收，这会引起液层之间能量的交换，从而导致腐蚀液温度的变化。利用红外热像仪可以实时监测这一特性，也可为深入分析、表征液层热对流奠定基础。实验结果表明，越靠近半导体材料与腐蚀液接触面的位置，液层的温度变化越显著，且以半导体材料为中心，由内而外呈梯度状降低，水平液层间的热对流速率明显大于竖直液层间的速率；提取的红外热像截面图可以清楚地表征水平液层及竖直液层的温