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用乙基紫修饰离子敏感场效应晶体管(ISFET)制成氯酸根离子敏感器件.该器件的斜率为54mv/decade,线性响应范围为1.0×10-1～7.0×10-5mol.l-1,检测下限为5.0×10-5mol.l-1,回收收率97.2%～109‰.
氯酸根离子敏感化学传感器的研究
【摘 要】
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用乙基紫修饰离子敏感场效应晶体管(ISFET)制成氯酸根离子敏感器件.该器件的斜率为54mv/decade,线性响应范围为1.0×10-1～7.0×10-5mol.l-1,检测下限为5.0×10-5m
【机 构】
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陕西省中医学校
【出 处】
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陕西中医学院学报
【发表日期】
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2003年5期
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