【摘 要】
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本文研究了C、X和KQ等波段体效应二极管的中子辐照损伤效应。实验观察到中子辐照环境中体效应二极管低场电阻变大,工作电流和射频输出下降,VI特性变化,甚至使负阻特性消失。
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本文研究了C、X和KQ等波段体效应二极管的中子辐照损伤效应。实验观察到中子辐照环境中体效应二极管低场电阻变大,工作电流和射频输出下降,VI特性变化,甚至使负阻特性消失。实验认为,器件性能退化是由中子辐照砷化镓材料的载流子去除效应引起的。
In this paper, we study the neutron irradiation damage effects of C, X and KQ bulk effect diode. It is observed experimentally that the low-field resistance of bulk diode in the neutron irradiation environment increases, the working current and RF output decrease, the VI characteristics change, and even the negative resistance disappears. Experiments show that the degradation of device performance is caused by the carrier removal effect of neutron-irradiated GaAs material.
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