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采用射频磁控溅射的方法制备了非晶[Crx／Ge10-x]20（x=O．1，0．3，0．5，0．8，1．1，1．6，2．7）多层膜。随着cr层厚度增加，Ge层厚度减小，室温下薄膜磁性由抗磁性转变为铁磁性，同时样品出现了反常霍尔效应。扣除Ge层的抗磁性，制备态的[Cr2.7／Ge7.3]20的饱和磁化强度M。可达33emu／cm3。提出了磁性起源于cr原子层间耦合的模型，薄膜的低温电阻导电机理属于自旋依赖电子变程跃迁机制。