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根据三维Si SOI PIN像素微剂量探测器特性参数，设计了一种基于GF chrt0181C CMOS工艺的前端读出电路。该读出电路主要包括PMOS输入的电荷灵敏前前置放大器，有源整形滤波电路，电压比较器及基准电流源等，可实现对微剂量信号的放大、滤波降噪、甄别输出等功能。仿真测试表明：能量探测范围为5～500fC，单通道功耗约为2mW．总噪声性能为0．05fC＋1．6×10^-1fC／pF。