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利用离子束刻蚀（IBE）和反应离子刻蚀（RIE）等干法刻蚀方法来制造带栅极的场发射阴极阵列。本文描述了其制作的流程工艺，并对制作中的一些关键问题和技术进行了讨论。采用SF6作为反应气体的RIE用来制作硅尖，而用CF4＋H2为反应气体的RIE用来清除SiO2，离子束刻蚀用来形成栅极。采用干法刻蚀，可以制造出栅极开口小的场发射阴极阵列。