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通过在SiGeHBT外基区和多晶发射极上制作TiSi2，从而使器件的高频噪声系数得到进一步降低。以PD=200mW的SiGeHBT为例，采用TiSi2工艺的噪声系数典型值为F=1．6dB@1．1GHz，明显低于无TiSi2工艺SiGeHBT的2．0dB@1．1GHz，且频率越高，二者差别越大。
TiSi2在微波低噪声SiGeHBT中的应用
【摘 要】
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通过在SiGeHBT外基区和多晶发射极上制作TiSi2，从而使器件的高频噪声系数得到进一步降低。以PD=200mW的SiGeHBT为例，采用TiSi2工艺的噪声系数典型值为F=1．6dB@1．1GHz，明显低于无Ti
【机 构】
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清华大学微电子学研究所
【出 处】
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半导体技术
【发表日期】
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2006年1期
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