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对掺杂的晶体硅进行染色,进而分析掺杂区域的深度、宽度以及形貌,在当今的集成电路制造中扮演着重要作用。多晶硅因其淀积工艺简单、与IC制造工艺高度兼容等优点,在集成电路的制造工艺中得到了广泛的应用,但因其特殊的微观结构,而呈现出与单晶硅不同的电学行为与化学特性。常规的单晶硅染色方法用于处理多晶硅染色时,效果往往不太理想。本文通过改良染色化学试剂的配方,显著提高了多晶硅染色的解析度。