Sr2MgSi2O7中本征缺陷和镧系离子的热力学稳定性和转变能级

来源 :发光学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：caifubaguoguo

【摘要】

：

利用基于标准PBE0泛函的杂化密度泛函理论计算了Sr2MgSi2O7中本征缺陷、缺陷复合对及镧系离子的缺陷形成能、热力学转变能级以及光跃迁能级,以研究它们在Sr2MgSi2O7∶Eu2+,Dy

【作者】

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闻军汪燕江贵生郭海宁利新

【机构】

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安庆师范大学电子工程与智能制造学院,安徽师范大学功能分子固体教育部重点实验室,安徽师范大学光电材料科学与技术安徽省重点实验室,浙江师范大学物理系

【出处】

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发光学报

【发表日期】

：

2020年6期

【关键词】

：

本征缺陷镧系离子热力学转变能级长余辉发光第一性原理 native defectslanthanide ionsthermodynamic transit

【基金项目】

：

国家自然科学基金(11974315,11974022),功能分子固体教育部重点实验室开放基金(FMS201908),安徽省高校优秀青年人才支持计划重点项目(gxyqZD2019046),安庆师范大学校级教研项目(2019aqnujyzc008)资助

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利用基于标准PBE0泛函的杂化密度泛函理论计算了Sr2MgSi2O7中本征缺陷、缺陷复合对及镧系离子的缺陷形成能、热力学转变能级以及光跃迁能级,以研究它们在Sr2MgSi2O7∶Eu2+,Dy3+的热致发光和长余辉发光过程中所起的作用。PBE0计算的形成能结果表明,缺陷VO、SrMg、MgSr和SrMg-MgSr较容易在还原气氛下制备的Sr2MgSi2O7材料中生成。基于PBE0计算的基质带隙(7.18 eV)和缺陷形成能,获得了上述较易形成的缺陷与复合对以及镧系离子的热力学转变能级和光跃迁能级。根据理论

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