【摘 要】
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利用分子束外延方法在国内首次在（100）GaAs衬底上可控制的获得了（100）和（111）两种晶向的CdTe外延层。X光的衍射结果表明外延层为单晶薄膜。光荧光的半峰宽为10meV左右。本文研究了
【机 构】
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中科院上海技物所,中科院上海技物所
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利用分子束外延方法在国内首次在（100）GaAs衬底上可控制的获得了（100）和（111）两种晶向的CdTe外延层。X光的衍射结果表明外延层为单晶薄膜。光荧光的半峰宽为10meV左右。本文研究了生长条件对外延层晶向的影响。发现,GaAs衬底表面的平整度和洁净度是影响外延层晶向的两个关键因素。我们已在所得到的CdTe缓冲层上成功地生长出Hg1-xCdxTe单晶薄膜。更多还原
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