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本文采用剂量为１．３９×１０￣７ｒａｄ、７．８×１０￣６ｒａｄ的γ射线辐照ＢａＦ＿２晶体，研究了辐照后ＢａＦ＿２晶体的透射光谱、光激发光谱、热释光谱的变化及辐照损伤后的恢复过程。对ＢａＦ＿２晶体的抗辐照损伤性能及机理进行了初步探讨。研究表明，ＢａＦ＿２的抗辐照损伤性能及恢复能力，除与辐照剂量的大小、辐照时间的长短有关外，还与生长晶体的原料中所含杂质的种类、量级，以及晶体的完整性与生长过程中所用去氧剂的种类有密切的关系。