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采用电化学沉积法封装阳极氧化铝（AAO）模板，制备出不同直径的Fe纳米线阵列。Fe纳米线阵列的形貌、组成、晶型、磁争性能分别通过场发射扫描电子显微镜（SEM）、X-射线能谱仪（EDS）、X-射线衍射仪（XRD）、震动样品磁强计（VSM）进行表征。结果表明：电化学沉积法可以制备出直径为33～95nm的Fe纳米线；纳米线排列有序，粗细均匀，具有明显的[110]择优取向。VSM测试结果表明纳米线的直径对其磁性能影响很大。当纳米线直径为33-40nm时，纳米线具有明显的磁各向异性，垂直模板表面的方向为易磁化方向，