【摘 要】
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尽管功率场效应VDMOS和绝缘栅双极型晶体管IGBT等电力半导体元器件层出不穷,且在电力电子技术领域占据重要位置,晶闸管(可控硅)却因耐高压耐大电流冲击的特性,仍有着稳固的阵
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尽管功率场效应VDMOS和绝缘栅双极型晶体管IGBT等电力半导体元器件层出不穷,且在电力电子技术领域占据重要位置,晶闸管(可控硅)却因耐高压耐大电流冲击的特性,仍有着稳固的阵地,受到用户的青睐.在摈弃电流采样、放大和执行等多个环节的情况下,将单结晶体管移相触发器中的晶体管误差放大器改为集成运算放大器,就可实现晶闸管直流稳压器的过流及短路保护,简化了电路结构,并提高了整机的稳定可靠性能和AC-DC变换效率.
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