【摘 要】
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采用铝箔作为衬底材料,用溅射Zn薄膜再硫化的两步法制备ZnS薄膜,对薄膜进行XRD、EDS和SEM 测试,分析硫化温度对薄膜特性的影响.实验结果表明,硫化温度400℃可确保Zn与S反应生
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采用铝箔作为衬底材料,用溅射Zn薄膜再硫化的两步法制备ZnS薄膜,对薄膜进行XRD、EDS和SEM 测试,分析硫化温度对薄膜特性的影响.实验结果表明,硫化温度400℃可确保Zn与S反应生成ZnS,薄膜择优取向为（111）晶面.提高硫化温度可增大（111）衍射峰的强度和晶粒尺寸,即提高ZnS薄膜的结晶度.所制备薄膜的组分接近ZnS化学计量比,且表现出贫Zn和富S特性,说明已发生充分的硫化反应.薄膜表面平滑且无裂纹,由致密排列的晶粒组成.实验结果说明采用硫化法在铝箔衬底上制备ZnS薄膜的可行性.
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ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清华大学发明人:隋森芳文摘:本发明属于生物技