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采用密度泛函理论研究了4种构型N,Ga共掺杂ZnO的光学吸收系数和介电函数。计算结果表明,所有N,Ga排列结构都在介电函数虚部1.6～4.0eV附近产生了新的峰值,并且吸收边有一个明显的红移现象。
N,Ga共掺杂对ZnO光学性质的影响
【摘 要】
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采用密度泛函理论研究了4种构型N,Ga共掺杂ZnO的光学吸收系数和介电函数。计算结果表明,所有N,Ga排列结构都在介电函数虚部1.6～4.0eV附近产生了新的峰值,并且吸收边有一个明显
【机 构】
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长春工业大学基础科学学院
【出 处】
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长春工业大学学报(自然科学版)
【发表日期】
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2011年05期
【基金项目】
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吉林省教育厅“十一五”科学技术研究项目(吉教科合字[2009]第130号)
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